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SI6410DQ-T1-GE3

SI6410DQ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
部品番号
SI6410DQ-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSSOP
消費電力(最大)
1.5W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
14 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
33nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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