Vishay Siliconix SI5402BDC-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 を購入

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SI5402BDC-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

部品番号

SI5402BDC-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SMD, Flat Lead

サプライヤーデバイスパッケージ

1206-8 ChipFET™

消費電力(最大)

1.3W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4.9A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

35 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

20nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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