SI4010DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
部品番号
SI4010DY-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
消費電力(最大)
6W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
31.3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
77nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3595pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
+20V, -16V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 39765 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード SI4010DY-T1-GE3
SI4010DY-T1-GE3 電子部品
SI4010DY-T1-GE3 売上
SI4010DY-T1-GE3 サプライヤー
SI4010DY-T1-GE3 ディストリビュータ
SI4010DY-T1-GE3 データテーブル
SI4010DY-T1-GE3の写真
SI4010DY-T1-GE3 価格
SI4010DY-T1-GE3 オファー
SI4010DY-T1-GE3 最安値
SI4010DY-T1-GE3 検索
SI4010DY-T1-GE3 を購入中
SI4010DY-T1-GE3 チップ