Vishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP を購入

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SI3900DV-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

部品番号

SI3900DV-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

パワー - 最大

830mW

サプライヤーデバイスパッケージ

6-TSOP

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

4nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

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