SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
部品番号
SI3127DV-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP
消費電力(最大)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
30nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
833pF @ 20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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