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SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F
部品番号
SI1072X-T1-E3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-89-6
消費電力(最大)
236mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
93 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.3nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
280pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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