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SI1002R-T1-GE3

SI1002R-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
部品番号
SI1002R-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-75A
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-75A
消費電力(最大)
220mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
610mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
560 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
36pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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