Vishay Siliconix SI1070X-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F を購入

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SI1070X-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

部品番号

SI1070X-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-563, SOT-666

サプライヤーデバイスパッケージ

SC-89-6

消費電力(最大)

236mW (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

99 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.55V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

8.3nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

385pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±12V

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