Vishay Siliconix SI1067X-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F を購入

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SI1067X-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

部品番号

SI1067X-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-563, SOT-666

サプライヤーデバイスパッケージ

SC-89-6

消費電力(最大)

236mW (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

150 mOhm @ 1.06A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

950mV @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

9.3nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

375pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.8V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

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