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SI1035X-T1-GE3

SI1035X-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V SC-89
部品番号
SI1035X-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-563, SOT-666
パワー - 最大
250mW
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-89-6
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
180mA, 145mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
400mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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