Vishay Siliconix SI1026X-T1-E3 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F を購入

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SI1026X-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

部品番号

SI1026X-T1-E3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-563, SOT-666

パワー - 最大

250mW

サプライヤーデバイスパッケージ

SC-89-6

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

305mA

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

1.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

30pF @ 25V

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