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SI1012R-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
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