Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V SC-89 を購入

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SI1011X-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V SC-89

部品番号

SI1011X-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Last Time Buy

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SC-89, SOT-490

サプライヤーデバイスパッケージ

SC-89-3

消費電力(最大)

190mW (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

640 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

800mV @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

4nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

62pF @ 6V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.2V, 4.5V

Vgs (最大)

±5V

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