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SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V SC-89
部品番号
SI1011X-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Last Time Buy
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-89, SOT-490
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-89-3
消費電力(最大)
190mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
640 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
800mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
62pF @ 6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.2V, 4.5V
Vgs (最大)
±5V
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