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VS-FB190SA10

VS-FB190SA10

MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
部品番号
VS-FB190SA10
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227
消費電力(最大)
568W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
190A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
6.5 mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.35V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
250nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
10700pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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