TPN22006NH,LQ
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
部品番号
TPN22006NH,LQ
メーカー/ブランド
シリーズ
U-MOSVIII-H
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSON Advance (3.3x3.3)
消費電力(最大)
700mW (Ta), 18W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
710pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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