Toshiba Semiconductor and Storage
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TK9A90E,S4X
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TK9A90E,S4X

MOSFET N-CH 900V TO220SIS
部品番号
TK9A90E,S4X
メーカー/ブランド
Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ
π-MOSVIII
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220SIS
消費電力(最大)
50W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
900V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 900µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
46nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2000pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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