TK8Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
部品番号
TK8Q65W,S1Q
メーカー/ブランド
シリーズ
DTMOSIV
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Stub Leads, IPak
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
消費電力(最大)
80W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7.8A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
670 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 300µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
16nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
570pF @ 300V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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