Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 を購入

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TK35N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

部品番号

TK35N65W,S1F

メーカー/ブランド

Toshiba Semiconductor and Storage

シリーズ

DTMOSIV

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-247-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-247

消費電力(最大)

270W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

650V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

35A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

80 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3.5V @ 2.1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

100nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4100pF @ 300V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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