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TK160F10N1L,LQ

TK160F10N1L,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
部品番号
TK160F10N1L,LQ
メーカー/ブランド
シリーズ
U-MOSVIII-H
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
175°C
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220SM(W)
消費電力(最大)
375W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
160A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
122nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
10100pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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