Toshiba Semiconductor and Storage
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TK14C65W,S1Q
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TK14C65W,S1Q

MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
部品番号
TK14C65W,S1Q
メーカー/ブランド
Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ
DTMOSIV
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK
消費電力(最大)
130W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 690µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1300pF @ 300V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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