Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN を購入

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SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

部品番号

SSM6H19NU,LF

メーカー/ブランド

Toshiba Semiconductor and Storage

シリーズ

U-MOSVII-H

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-UDFN Exposed Pad

サプライヤーデバイスパッケージ

6-UDFN (2x2)

消費電力(最大)

1W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

40V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.2V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

130pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.8V, 8V

Vgs (最大)

±12V

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