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TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
部品番号
TH58BYG2S3HBAI6
メーカー/ブランド
シリーズ
Benand™
部品のステータス
Active
包装
Tray
テクノロジー
FLASH - NAND (SLC)
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
67-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
67-VFBGA (6.5x8)
電圧 - 電源
1.7 V ~ 1.95 V
メモリの種類
Non-Volatile
メモリー容量
4Gb (512M x 8)
アクセス時間
25ns
クロック周波数
-
メモリフォーマット
Flash
書き込みサイクル タイム - ワード、ページ
25ns
メモリインターフェース
Parallel
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