TSM80N1R2CL C0G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
部品番号
TSM80N1R2CL C0G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Short Leads, I²Pak
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-262S (I2PAK)
消費電力(最大)
110W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
800V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
19.4nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
685pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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