STMicroelectronics STI11NM60ND MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK を購入

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STI11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

部品番号

STI11NM60ND

メーカー/ブランド

STMicroelectronics

シリーズ

FDmesh™ II

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

サプライヤーデバイスパッケージ

I2PAK

消費電力(最大)

90W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

450 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

30nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

850pF @ 50V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±25V

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