STMicroelectronics STH310N10F7-6 MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 を購入

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STH310N10F7-6

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

部品番号

STH310N10F7-6

メーカー/ブランド

STMicroelectronics

シリーズ

DeepGATE™, STripFET™ VII

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

サプライヤーデバイスパッケージ

H2PAK-6

消費電力(最大)

315W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

180A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2.5 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3.8V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

180nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

12800pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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