US6K4TR
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
部品番号
US6K4TR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-SMD, Flat Leads
パワー - 最大
1W
サプライヤーデバイスパッケージ
TUMT6
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.5A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
110pF @ 10V
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