Rohm Semiconductor RW1C025ZPT2CR MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

RW1C025ZPT2CR

MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

部品番号

RW1C025ZPT2CR

メーカー/ブランド

Rohm Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-563, SOT-666

サプライヤーデバイスパッケージ

6-WEMT

消費電力(最大)

700mW (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

65 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

21nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1300pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±10V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 24163 PCS

連絡先

関連製品

RW1C015UNT2R

MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6