Rohm Semiconductor RRS110N03TB1 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

RRS110N03TB1

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

部品番号

RRS110N03TB1

メーカー/ブランド

Rohm Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SOP

消費電力(最大)

2W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

11A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

12.6 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

33nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2000pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4V, 10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 30266 PCS

連絡先

関連製品

RRS100N03TB1

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC