QS6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
部品番号
QS6J11TR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パワー - 最大
600mW
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT6 (SC-95)
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
770pF @ 6V
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