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QS5U17TR

QS5U17TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
部品番号
QS5U17TR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT5
消費電力(最大)
900mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Schottky Diode (Isolated)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
3.9nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
175pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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