NP100P04PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
部品番号
NP100P04PDG-E1-AY
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263
消費電力(最大)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
320nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
15100pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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