H7N1002LSTL-E
MOSFET N-CH 100V LDPAK
部品番号
H7N1002LSTL-E
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-83
サプライヤーデバイスパッケージ
4-LDPAK
消費電力(最大)
100W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
75A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
155nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
9700pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 39542 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード H7N1002LSTL-E
H7N1002LSTL-E 電子部品
H7N1002LSTL-E 売上
H7N1002LSTL-E サプライヤー
H7N1002LSTL-E ディストリビュータ
H7N1002LSTL-E データテーブル
H7N1002LSTL-Eの写真
H7N1002LSTL-E 価格
H7N1002LSTL-E オファー
H7N1002LSTL-E 最安値
H7N1002LSTL-E 検索
H7N1002LSTL-E を購入中
H7N1002LSTL-E チップ