QJD1210011
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
部品番号
QJD1210011
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
Module
パワー - 最大
900W
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 10mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
500nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
10200pF @ 800V
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