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NVB60N06T4G
MOSFET N-CH 60V D2PAK
部品番号
NVB60N06T4G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Last Time Buy
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
消費電力(最大)
2.4W (Ta), 150W (Tj)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
14 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
81nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3220pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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