ON Semiconductor NTMS10P02R2G MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC を購入

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NTMS10P02R2G

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

部品番号

NTMS10P02R2G

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SOIC

消費電力(最大)

1.6W (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

8.8A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

14 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

70nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3640pF @ 16V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±12V

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