ON Semiconductor
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NTJD1155LT1G
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NTJD1155LT1G

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
部品番号
NTJD1155LT1G
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パワー - 最大
400mW
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-88/SC70-6/SOT-363
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
8V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.3A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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