NTHC5513T1G
MOSFET N/P-CH 20V 1206A
部品番号
NTHC5513T1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
パワー - 最大
1.1W
サプライヤーデバイスパッケージ
ChipFET™
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.9A, 2.2A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
180pF @ 10V
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