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NTD60N02R-35G

NTD60N02R-35G

MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
部品番号
NTD60N02R-35G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Stub Leads, IPak
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
消費電力(最大)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1330pF @ 20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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