ON Semiconductor HGTP10N120BN IGBT 1200V 35A 298W TO220AB を購入

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HGTP10N120BN

IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

部品番号

HGTP10N120BN

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

部品のステータス

Not For New Designs

包装

Tube

入力方式

Standard

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-220-3

パワー - 最大

298W

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-220AB

逆回復時間 (trr)

電流 - コレクタ (Ic) (最大)

35A

電圧 - コレクタエミッタブレイクダウン (最大)

1200V

IGBTの種類

NPT

Vce(on) (最大) @ Vge、Ic

2.7V @ 15V, 10A

電流 - コレクタパルス (Icm)

80A

スイッチングエネルギー

320µJ (on), 800µJ (off)

ゲートチャージ

100nC

Td (オン/オフ) @ 25°C

23ns/165ns

試験条件

960V, 10A, 10 Ohm, 15V

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