ON Semiconductor FQU10N20LTU MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK を購入

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FQU10N20LTU

MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK

部品番号

FQU10N20LTU

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

QFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

サプライヤーデバイスパッケージ

I-PAK

消費電力(最大)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

7.6A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

360 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

17nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

830pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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