FQT7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
部品番号
FQT7N10LTF
メーカー/ブランド
シリーズ
QFET®
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-223-4
消費電力(最大)
2W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
290pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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