ON Semiconductor
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FQN1N60CTA
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FQN1N60CTA

MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
部品番号
FQN1N60CTA
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
QFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92-3
消費電力(最大)
1W (Ta), 3W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
11.5 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.2nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
170pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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