FQB8N25TM
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
部品番号
FQB8N25TM
メーカー/ブランド
シリーズ
QFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
消費電力(最大)
3.13W (Ta), 87W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
250V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
530pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 19008 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード FQB8N25TM
FQB8N25TM 電子部品
FQB8N25TM 売上
FQB8N25TM サプライヤー
FQB8N25TM ディストリビュータ
FQB8N25TM データテーブル
FQB8N25TMの写真
FQB8N25TM 価格
FQB8N25TM オファー
FQB8N25TM 最安値
FQB8N25TM 検索
FQB8N25TM を購入中
FQB8N25TM チップ