ON Semiconductor FQB50N06LTM MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK を購入

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FQB50N06LTM

MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

部品番号

FQB50N06LTM

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

QFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

D²PAK (TO-263AB)

消費電力(最大)

3.75W (Ta), 121W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

52.4A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

21 mOhm @ 26.2A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

32nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1630pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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