FQB10N50CFTM-WS
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
部品番号
FQB10N50CFTM-WS
メーカー/ブランド
シリーズ
FRFET®, QFET™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
消費電力(最大)
143W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
610 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
60nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2210pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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