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FDS5170N7
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10.6A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
12 mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
71nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2889pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
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