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FDMJ1027P
MOSFET P-CH 20V 3.2A
部品番号
FDMJ1027P
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
6-MicroFET (2x2)
消費電力(最大)
-
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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