FDI150N10
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
部品番号
FDI150N10
メーカー/ブランド
シリーズ
PowerTrench®
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK (TO-262)
消費電力(最大)
110W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
16 mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
69nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4760pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 24415 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード FDI150N10
FDI150N10 電子部品
FDI150N10 売上
FDI150N10 サプライヤー
FDI150N10 ディストリビュータ
FDI150N10 データテーブル
FDI150N10の写真
FDI150N10 価格
FDI150N10 オファー
FDI150N10 最安値
FDI150N10 検索
FDI150N10 を購入中
FDI150N10 チップ