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FDFM2N111
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ
MicroFET 3x3mm
FETの特徴
Schottky Diode (Isolated)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
273pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
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