ON Semiconductor
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FDD3510H
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FDD3510H

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
部品番号
FDD3510H
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
PowerTrench®
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
パワー - 最大
1.3W
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252-4L
FETタイプ
N and P-Channel, Common Drain
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.3A, 2.8A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
18nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
800pF @ 40V
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